作者hor (<< 霍元甲 >>)
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標題[問題] MOS與IGBT損耗方式計算
時間Fri Mar 9 11:29:16 2007
MOS：
turn-on Power lose=(Ids_RMS)^2 x (Rds_on)
IGBT:
turn-on Power lose=(Ice_avg)x(Vce_on)
請教一下
是因為MOS等效為電阻，IGBT等效為電壓形式，
所以在計算上一個用RMS值 一個用AVG值嗎?
為什麼電阻是使用RMS計算呢?
如果錯誤的地方，請各位高手指正，小弟虛心領教
感謝!!
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◆ From: 140.116.178.229
1F：推 cpt:power 應該都要用 rms value 來算吧 03/09 13:46
2F：→ cpt:而且 MOS 的 Rds 非定值, 寫成 Ids_rms x Vds_rms 也沒錯 03/09 13:46