作者hor (<< 霍元甲 >>)
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标题[问题] MOS与IGBT损耗方式计算
时间Fri Mar 9 11:29:16 2007
MOS：
turn-on Power lose=(Ids_RMS)^2 x (Rds_on)
IGBT:
turn-on Power lose=(Ice_avg)x(Vce_on)
请教一下
是因为MOS等效为电阻，IGBT等效为电压形式，
所以在计算上一个用RMS值 一个用AVG值吗?
为什麽电阻是使用RMS计算呢?
如果错误的地方，请各位高手指正，小弟虚心领教
感谢!!
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.116.178.229
1F：推 cpt:power 应该都要用 rms value 来算吧 03/09 13:46
2F：→ cpt:而且 MOS 的 Rds 非定值, 写成 Ids_rms x Vds_rms 也没错 03/09 13:46