※ 引述《yammy1201 (@^_____^@N)》之銘言： : 請問一下為什麼離子佈植的深度總是較預期的要深? : 謝謝!..^^ 主要有兩種原因 若是要形成shallow junction的話 往往佈植的能量都相當低 但是因為Si的晶格有某些方向看過去是沒有甚麼阻礙的 看起來就像是有一個channel一般 所以會使佈植的深度比預期的深 也就是所謂的channel effect 改善的方式是利用將Si wafer傾斜7~8度來避開晶格上的通道 或是在佈植前先用Si或Ge將表面打成amorphous狀 使得佈植之原子感受不到通道 而另一個因素則是在anneal時溫度會使離子的位置改變 而佈植時產生的缺陷interstitial silicon or vacancy 會使佈植之物質更快速的移動 使得佈植的深度比預期的深 尤其是你參雜的物質會因為缺陷而快速移動的話 這現象會特別的明顯 最後有一個比較少見的 我也不確定有沒有說得很對 就是當你的物質植入時 濃度的分佈會產生一個位勢差 會產生一個力使得你物質的移動更快 是以佈植的位置會比較深 --

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