※ 引述《yammy1201 (@^_____^@N)》之铭言： : 请问一下为什麽离子布植的深度总是较预期的要深? : 谢谢!..^^ 主要有两种原因 若是要形成shallow junction的话 往往布植的能量都相当低 但是因为Si的晶格有某些方向看过去是没有甚麽阻碍的 看起来就像是有一个channel一般 所以会使布植的深度比预期的深 也就是所谓的channel effect 改善的方式是利用将Si wafer倾斜7~8度来避开晶格上的通道 或是在布植前先用Si或Ge将表面打成amorphous状 使得布植之原子感受不到通道 而另一个因素则是在anneal时温度会使离子的位置改变 而布植时产生的缺陷interstitial silicon or vacancy 会使布植之物质更快速的移动 使得布植的深度比预期的深 尤其是你参杂的物质会因为缺陷而快速移动的话 这现象会特别的明显 最後有一个比较少见的 我也不确定有没有说得很对 就是当你的物质植入时 浓度的分布会产生一个位势差 会产生一个力使得你物质的移动更快 是以布植的位置会比较深 --

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