作者qaz1234567q (死亡與恐懼)
看板Electronics
標題[問題] 關於電子學中二極體的一些問題
時間Fri Nov 3 17:30:21 2006
第一題
http://nonlimit.myweb.hinet.net/road/a.JPG
第二題
http://nonlimit.myweb.hinet.net/road/b.JPG
第一題跟第二題的疑問我都打在圖片上了!
第三題
什麼是內建電壓(built-in voltage)?
是障壁電壓嗎???就是那個0.6V嗎?
第四題
將所處物理環境安全相同,皆為電中性且原本分離的p型矽及n型矽直接緊密接在一起
,則
(A)一開始會有電流由n型矽流向p型矽
(B)一開始流動的電流大部分是由雙方的少數載子移動所造成
(C)平衡後p型矽內電洞的目會較平衡前較為多
(D)以上皆非
答案是D
我的疑問是A選項,如果沒有電流流過去的話,那怎麼會有空乏區的產生呢?
謝謝您>w<
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http://nonlimit.myweb.hinet.net/
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◆ From: 59.114.23.119
1F：推 SILee:因為是由P到N 11/03 18:42
2F：推 jasonpid:如果改成電子流就可以選A 11/03 20:20
3F：推 cerebrum:多數載子擴散形成內建電場，少數載子靠內建電場漂移， 11/04 01:08
4F：→ cerebrum:整個平衡達電中性。多數載子擴散是必然的，因濃度不均， 11/04 01:09
5F：→ cerebrum:少數載子不標移，就會在沒外加電壓下，自行噴出電流，這 11/04 01:10
6F：→ cerebrum:不合理，所以依定存在少數載子漂移，兩者會達到平衡。 11/04 01:11
7F：→ cerebrum:是這樣嗎 (抓頭) 11/04 01:12