作者qaz1234567q (死亡与恐惧)
看板Electronics
标题[问题] 关於电子学中二极体的一些问题
时间Fri Nov 3 17:30:21 2006
第一题
http://nonlimit.myweb.hinet.net/road/a.JPG
第二题
http://nonlimit.myweb.hinet.net/road/b.JPG
第一题跟第二题的疑问我都打在图片上了!
第三题
什麽是内建电压(built-in voltage)?
是障壁电压吗???就是那个0.6V吗?
第四题
将所处物理环境安全相同,皆为电中性且原本分离的p型矽及n型矽直接紧密接在一起
,则
(A)一开始会有电流由n型矽流向p型矽
(B)一开始流动的电流大部分是由双方的少数载子移动所造成
(C)平衡後p型矽内电洞的目会较平衡前较为多
(D)以上皆非
答案是D
我的疑问是A选项,如果没有电流流过去的话,那怎麽会有空乏区的产生呢?
谢谢您>w<
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Non Limit三国网:
http://nonlimit.myweb.hinet.net/
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◆ From: 59.114.23.119
1F：推 SILee:因为是由P到N 11/03 18:42
2F：推 jasonpid:如果改成电子流就可以选A 11/03 20:20
3F：推 cerebrum:多数载子扩散形成内建电场，少数载子靠内建电场漂移， 11/04 01:08
4F：→ cerebrum:整个平衡达电中性。多数载子扩散是必然的，因浓度不均， 11/04 01:09
5F：→ cerebrum:少数载子不标移，就会在没外加电压下，自行喷出电流，这 11/04 01:10
6F：→ cerebrum:不合理，所以依定存在少数载子漂移，两者会达到平衡。 11/04 01:11
7F：→ cerebrum:是这样吗 (抓头) 11/04 01:12