基本上trench要用比較高深寬比的etch製程 先做出電容 再做電晶體,所以電容的介電質大多要用oxide來做 才不會在做電晶體時,把介電質用壞 stack方式的dram,不外乎是往上長poly,或使用多層poly 因為電晶體是先被做出來的,所以在後面的製程就可以用比較低溫的製程 像是high-k的材料就可以被拿來使用,但基本上這方式的dram面積比較大 在某些文獻上trench的dram,可以把電容做在電晶體的正下方 所以面積可以做到最小,但是製程上還不是很健全! 當然也有二者的混合版,使電容值加大 至於效能上,因為二者讀寫的方式是一樣的,所以應該要看各家製程的漏電量而定 【 在 [email protected] (andy) 的大作中提到: 】 : ==> 在 [email protected] (無奈且無力) 的文章中提到: : > 想請問DRAM架構上 : > 有分 溝渠 Trench 和 堆疊 Stack : > 這兩種的技術差異性在哪 : > 還有其效能有差嗎 成本呢? : > 希望大家幫個忙回答了 謝謝 : 請看今天電子時報 : trech 當 process小 挖個溝深 和孔大小 : 受影響 不夠深 就電容會不夠大 : 所以 先進的 process 都使用 stack : cost 都須要授權拉 : 如果 以老點 process 來看 trench 比 stack 小 -- 說我多變？或許是對。又或許.......我根本沒搞懂我在想些什麼？ 宙斯最後創造雙魚時，給予他其他十一星座的優點和缺點。 也許這樣，你我都不曾真正察覺他真實的個性。 ※來源 : 台北科大計中紅樓資訊站 redbbs.cc.ntut.edu.tw ※FROM : 61.62.33.82