基本上trench要用比较高深宽比的etch制程 先做出电容 再做电晶体,所以电容的介电质大多要用oxide来做 才不会在做电晶体时,把介电质用坏 stack方式的dram,不外乎是往上长poly,或使用多层poly 因为电晶体是先被做出来的,所以在後面的制程就可以用比较低温的制程 像是high-k的材料就可以被拿来使用,但基本上这方式的dram面积比较大 在某些文献上trench的dram,可以把电容做在电晶体的正下方 所以面积可以做到最小,但是制程上还不是很健全! 当然也有二者的混合版,使电容值加大 至於效能上,因为二者读写的方式是一样的,所以应该要看各家制程的漏电量而定 【 在 [email protected] (andy) 的大作中提到: 】 : ==> 在 [email protected] (无奈且无力) 的文章中提到: : > 想请问DRAM架构上 : > 有分 沟渠 Trench 和 堆叠 Stack : > 这两种的技术差异性在哪 : > 还有其效能有差吗 成本呢? : > 希望大家帮个忙回答了 谢谢 : 请看今天电子时报 : trech 当 process小 挖个沟深 和孔大小 : 受影响 不够深 就电容会不够大 : 所以 先进的 process 都使用 stack : cost 都须要授权拉 : 如果 以老点 process 来看 trench 比 stack 小 -- 说我多变？或许是对。又或许.......我根本没搞懂我在想些什麽？ 宙斯最後创造双鱼时，给予他其他十一星座的优点和缺点。 也许这样，你我都不曾真正察觉他真实的个性。 ※来源 : 台北科大计中红楼资讯站 redbbs.cc.ntut.edu.tw ※FROM : 61.62.33.82