【 在 [email protected] () 的大作中提到: 】 : ※ 引述《elf326 (小小)》之銘言： : : 想請問TSMC 0.18um製程,它裡面所謂的RF model跟一般的model,它們之間的不同只是 : : 因為RF model在高頻有比較高精準度的萃取參數(與一般相比的話)而已,還是他們之間有不 : : 同的架構,因為我看ADS RF model裡面的NMOS他有註明是triple well PMOS是twin well.. : .18um的我有點忘了，不過.13um裡面，baseband model就只是BSIM的model, : RF model 則是將parasitic element和BSIM model包在一起變成一個transistor model, : RF model 還會把BSIM model裡的部份參數disable掉，然後再用TSMC的公式加回去。 : 我記得.18也是類似的做法。 那種 RF model，基本上是查表法的 model 也就是晶圓廠下線做看看...跟 BSIM model 的差異再用一些 parasitic RLC 修正 回來。所以要說比較精準也對啦。但是前提是你畫的 MOS 要與晶圓廠下線測試的 一模一樣。 : : 還有RF moedl的MOS可以跟一般的MOS作在一起嗎?只是要在LAYOUT上畫法不同(例如: : : triple well 之類的)..........謝謝各位前輩!! 可以做在一起。RF MOS 的 LAYOUT 請用 FDK，請不要自己畫。 避免出來的結果跟 RF Model 不同。 -- 我是....... 可愛的哲哲喔... ※ 來源:‧四百年來第一靠邊站 culture.twbbs.org‧[FROM: royals]