【 在 [email protected] () 的大作中提到: 】 : ※ 引述《elf326 (小小)》之铭言： : : 想请问TSMC 0.18um制程,它里面所谓的RF model跟一般的model,它们之间的不同只是 : : 因为RF model在高频有比较高精准度的萃取参数(与一般相比的话)而已,还是他们之间有不 : : 同的架构,因为我看ADS RF model里面的NMOS他有注明是triple well PMOS是twin well.. : .18um的我有点忘了，不过.13um里面，baseband model就只是BSIM的model, : RF model 则是将parasitic element和BSIM model包在一起变成一个transistor model, : RF model 还会把BSIM model里的部份参数disable掉，然後再用TSMC的公式加回去。 : 我记得.18也是类似的做法。 那种 RF model，基本上是查表法的 model 也就是晶圆厂下线做看看...跟 BSIM model 的差异再用一些 parasitic RLC 修正 回来。所以要说比较精准也对啦。但是前提是你画的 MOS 要与晶圆厂下线测试的 一模一样。 : : 还有RF moedl的MOS可以跟一般的MOS作在一起吗?只是要在LAYOUT上画法不同(例如: : : triple well 之类的)..........谢谢各位前辈!! 可以做在一起。RF MOS 的 LAYOUT 请用 FDK，请不要自己画。 避免出来的结果跟 RF Model 不同。 -- 我是....... 可爱的哲哲喔... ※ 来源:‧四百年来第一靠边站 culture.twbbs.org‧[FROM: royals]