各位先進!!~ 這次一定要討論出來到底是哪個對!!~製程是TSMC 0.18um RF 1P6M 1.8v/3.3v 前情提要： Bulk(Metal) = Gnd，Source在Metal 3 版本一： ╴╴╴ Vdd ︱ ︱ ︳—— 。——︳———— M2 Bulk(Gnd) ︳—→ ︱ ︱ ︱ ︳—— 。——︳———— M1 Bulk(Gnd) ︳—→ ︱ ︱ ￣ ￣ Gnd 感覺板上的高手是這個說法!! Layout時，M1的Source往下打Via與Bulk(Gnd)相接， M2的Source接到M1的Drain，M2的Bulk即Gnd，所以，接到Gnd Pad的有：M1Bulk與Source 、M2Bulk。我覺得這個版本就是電子學教的，Bulk(Body)只有一個，以NMOS來說，Bulk就 是接地，所以M2有基體效應。 但我有個問題是NMOS的Layout，感覺上每顆NMOS都有自己的Bulk呀，濫問題還是請幫 忙回答一下!!~ 版本二：我的做法 ╴╴╴ Vdd ︱ ︱ ︳—— 。——︳———︱ M2 Bulk與Source相接 ︳—→–︱ ︱ ︱ ︱ ︳—— 。——︳———︱ M1 Bulk與Source相接 ︳—→–︱ ︱ ︱ ￣ ￣ Gnd 首先，聽同學說TSMC 0.18um RF製程，NMOS的Source與Bulk是可以相接的。Lauout時 ，M1的Source(Metal 3)往下打Via到Bulk(Gnd)，M2的Source(Metal 3)去接M1的Drain同時 往下打Via到Bulk，所以!!!真正接到Gnd Pad的只有M1的Source和Bulk。M2孤立，自己 Source與Bulk相接。 感覺上我這個版本好像每顆NMOS都有自己的Bulk，全部都是Bulk與Source相接， 只有接地的NMOS才拉到Gnd Pad。但感覺上好像不像電子學教的那樣，到底發生什麼問 題了? 結論到底是哪個對咧??還是都對呢?? 感謝大家的回答!!!! --

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