各位先进!!~ 这次一定要讨论出来到底是哪个对!!~制程是TSMC 0.18um RF 1P6M 1.8v/3.3v 前情提要： Bulk(Metal) = Gnd，Source在Metal 3 版本一： ╴╴╴ Vdd ︱ ︱ ︳—— 。——︳———— M2 Bulk(Gnd) ︳—→ ︱ ︱ ︱ ︳—— 。——︳———— M1 Bulk(Gnd) ︳—→ ︱ ︱ ￣ ￣ Gnd 感觉板上的高手是这个说法!! Layout时，M1的Source往下打Via与Bulk(Gnd)相接， M2的Source接到M1的Drain，M2的Bulk即Gnd，所以，接到Gnd Pad的有：M1Bulk与Source 、M2Bulk。我觉得这个版本就是电子学教的，Bulk(Body)只有一个，以NMOS来说，Bulk就 是接地，所以M2有基体效应。 但我有个问题是NMOS的Layout，感觉上每颗NMOS都有自己的Bulk呀，滥问题还是请帮 忙回答一下!!~ 版本二：我的做法 ╴╴╴ Vdd ︱ ︱ ︳—— 。——︳———︱ M2 Bulk与Source相接 ︳—→–︱ ︱ ︱ ︱ ︳—— 。——︳———︱ M1 Bulk与Source相接 ︳—→–︱ ︱ ︱ ￣ ￣ Gnd 首先，听同学说TSMC 0.18um RF制程，NMOS的Source与Bulk是可以相接的。Lauout时 ，M1的Source(Metal 3)往下打Via到Bulk(Gnd)，M2的Source(Metal 3)去接M1的Drain同时 往下打Via到Bulk，所以!!!真正接到Gnd Pad的只有M1的Source和Bulk。M2孤立，自己 Source与Bulk相接。 感觉上我这个版本好像每颗NMOS都有自己的Bulk，全部都是Bulk与Source相接， 只有接地的NMOS才拉到Gnd Pad。但感觉上好像不像电子学教的那样，到底发生什麽问 题了? 结论到底是哪个对咧??还是都对呢?? 感谢大家的回答!!!! --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 203.73.6.4