※ 引述《Floatcross (小天使落跑了!!??)》之銘言： : 各位前輩好 : 我已經用tsuprem4 畫好SONOS結構了 : 現在想要模擬電子trap在nitride的特定位置特定電子量 : 無奈試了很久都失敗了 : 請教哪位前輩有模擬過類似的結構經驗呢? : 我說明我的作法 : 我已經撰寫好medici id-vg 程式了 : 所以我在其中加入一段trap語法 : 讓原本沒TRAP的nitride trap住電荷 : 語法如下 : TRAP Q.FIX=1E18 COND="(@REGION=NITRIDE)&(@X>0.3)&(@X<0.5)" : 無奈不管如何排列組合，新增其他參數 : vth均沒有改變 : 請問誰願意提供我意見呢? : 感謝感謝 試看看 INTERFACE 這個satement, 你可以把dielectric設定成兩個region,然後再define兩個region之間interface的 fixed charge 不過我之前是拿來設定donor-like的trap拉,fixed charge這樣設是否對你有幫助 我就不清楚了 :P --

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