※ 引述《Floatcross (小天使落跑了!!??)》之铭言： : 各位前辈好 : 我已经用tsuprem4 画好SONOS结构了 : 现在想要模拟电子trap在nitride的特定位置特定电子量 : 无奈试了很久都失败了 : 请教哪位前辈有模拟过类似的结构经验呢? : 我说明我的作法 : 我已经撰写好medici id-vg 程式了 : 所以我在其中加入一段trap语法 : 让原本没TRAP的nitride trap住电荷 : 语法如下 : TRAP Q.FIX=1E18 COND="(@REGION=NITRIDE)&(@X>0.3)&(@X<0.5)" : 无奈不管如何排列组合，新增其他参数 : vth均没有改变 : 请问谁愿意提供我意见呢? : 感谢感谢 试看看 INTERFACE 这个satement, 你可以把dielectric设定成两个region,然後再define两个region之间interface的 fixed charge 不过我之前是拿来设定donor-like的trap拉,fixed charge这样设是否对你有帮助 我就不清楚了 :P --

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