我來說一下SMITH電子二的重點好了 這篇可能會很長 囧 1.電流鏡(Current Mirror) 我只說基本型跟Cascode CM 第一，從左邊（reference端）得到電壓 因為參考端的MOS是DIODE CONNECTED 所以可以直接得到他的Vgs = Vds，必然在飽和區 再來輸出端的Vgs等於參考端的Vgs 所以第一，先忽略channel length modulation 我們可以得到，假如Vo > Vov => saturation Io = Iref 再來我們就要考量啦 一般來說理想電流源 R = infinite 可是在這裡，R = ro(自己用小信號去看模型) 再來考慮Cascode CM 多疊的第二層 壞處是你多浪費了一層Vov 所以你的輸出 Vo >= 2Vov 好處是從Cascode的觀點來看 妳等於用Common Gate 把Ro放大了 此時的 R = ro2 + [1+(gm2+gmb2)ro2]ro1 ~ gm'ro^2 2. CS CE , degeneration, CG CB , CD CC 尤其是後面四種要考量ro的狀態 這部分比較難的是CG CB with ro, with active load 要考量的就是Rin跟Ro 用小信號自己推一次 Rin = (ro + RL)/[1+(gm+gmb)ro] ~ 1/gm' + RL/Ao Ao = 1+(gm+gmb)ro Ro = Ao*Rsig+ro 上面是CG 下面來看CB Rin = rpi // {(ro + RL)/[1+(gm+gmb)ro]} 至於Smith上面說的幾個結果，你分別去導一次就知道了 Ro = ro + Ao*(rpi // Rsig) CD跟CC是下面這樣 用T-model CD: Rin = infinite Ro = ro//Rs//(1/gm') ~ 1/gm' CC: Rin = (1+hfe)*(re + ro//Re) Ro = ro//Re//[re + Rsig'/(1+hfe)] 上面這些我都建議你用小信號老老實實多推幾次 3.頻率響應(Frequency Response) 1)低頻的考量 我們要先這樣看基礎的一些隔絕DC的電容跟附近的電阻會形成高通電路 也就是如下圖 C Vsig----Rsig-----||---------Vo | R | = 所以每個外部電路可以視為一個高通電路 那這樣的高通電路先假設互相之間不會影響 所以我們來看他的f3db ωL = 1/[C*(C看到的R)] 以上面的例子來看就是1/C(R+Rsig) 當你求出來的頻率差很多（將近十倍甚至更多時） 你可以忽略比較小的頻率，只考量最大的那個頻率 假如頻率很近的時候 你就把三個轉換方程式相乘 Ti(s) = s/(Pi+s) T(s)=T1(s)*T2(s)*...... 下去看 我們發現......P = ΣPi 這裡的P是指pole omega 2)高頻的考量 我們可以看到，在這裡的電路通常是低通電路 分析上最常用的有兩個方法，還有課本有教的Exact Analysis，跟沒教的第四個方法 第四個方法我現在先不提，有緣的去問sasako跟kobetwo 他們願意吐露的話XD(這不是藏一手啦>"<) 或是自己去翻以前的文章，找的到就是有原啦XD 我只說說最常用的兩個方法 i. Miller Theorem V1---Z---V2 = K*V1 = = 這樣一個電路 我們可以拆成兩個電路 V1-- --V2 | | Z1 Z2 | | = = 我們可以發現 I1 = V1/Z1 = (V1-V2)/Z = (1-K)V1/Z 所以 Z1 = Z/(1-K) 同樣的方法 Z2 = Z/(1-1/K) 用這個方法 我們可以達成這樣的分析 input port ωH = 1/Rsig'(Cgs+(1+gmRl')Cgd) output port ωH = 1/Rl'(Cl+Cgd) 挑一個比較小的就是了，如果很接近的話 那就用ωH = 1/Σ(RxCx) （不要擔心，這些分析都是估計的，所以有誤差沒差啦） ii.open ckt 就是當每個電容互相不會影響 所以每個電容看出去看看有看到什麼樣的電阻 τx = CxRx ωH = 1/Στx 這樣說大概很簡單，不過你要自己對照課本然後去練習 先講到這吧...... --

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