我来说一下SMITH电子二的重点好了 这篇可能会很长 囧 1.电流镜(Current Mirror) 我只说基本型跟Cascode CM 第一，从左边（reference端）得到电压 因为参考端的MOS是DIODE CONNECTED 所以可以直接得到他的Vgs = Vds，必然在饱和区 再来输出端的Vgs等於参考端的Vgs 所以第一，先忽略channel length modulation 我们可以得到，假如Vo > Vov => saturation Io = Iref 再来我们就要考量啦 一般来说理想电流源 R = infinite 可是在这里，R = ro(自己用小信号去看模型) 再来考虑Cascode CM 多叠的第二层 坏处是你多浪费了一层Vov 所以你的输出 Vo >= 2Vov 好处是从Cascode的观点来看 你等於用Common Gate 把Ro放大了 此时的 R = ro2 + [1+(gm2+gmb2)ro2]ro1 ~ gm'ro^2 2. CS CE , degeneration, CG CB , CD CC 尤其是後面四种要考量ro的状态 这部分比较难的是CG CB with ro, with active load 要考量的就是Rin跟Ro 用小信号自己推一次 Rin = (ro + RL)/[1+(gm+gmb)ro] ~ 1/gm' + RL/Ao Ao = 1+(gm+gmb)ro Ro = Ao*Rsig+ro 上面是CG 下面来看CB Rin = rpi // {(ro + RL)/[1+(gm+gmb)ro]} 至於Smith上面说的几个结果，你分别去导一次就知道了 Ro = ro + Ao*(rpi // Rsig) CD跟CC是下面这样 用T-model CD: Rin = infinite Ro = ro//Rs//(1/gm') ~ 1/gm' CC: Rin = (1+hfe)*(re + ro//Re) Ro = ro//Re//[re + Rsig'/(1+hfe)] 上面这些我都建议你用小信号老老实实多推几次 3.频率响应(Frequency Response) 1)低频的考量 我们要先这样看基础的一些隔绝DC的电容跟附近的电阻会形成高通电路 也就是如下图 C Vsig----Rsig-----||---------Vo | R | = 所以每个外部电路可以视为一个高通电路 那这样的高通电路先假设互相之间不会影响 所以我们来看他的f3db ωL = 1/[C*(C看到的R)] 以上面的例子来看就是1/C(R+Rsig) 当你求出来的频率差很多（将近十倍甚至更多时） 你可以忽略比较小的频率，只考量最大的那个频率 假如频率很近的时候 你就把三个转换方程式相乘 Ti(s) = s/(Pi+s) T(s)=T1(s)*T2(s)*...... 下去看 我们发现......P = ΣPi 这里的P是指pole omega 2)高频的考量 我们可以看到，在这里的电路通常是低通电路 分析上最常用的有两个方法，还有课本有教的Exact Analysis，跟没教的第四个方法 第四个方法我现在先不提，有缘的去问sasako跟kobetwo 他们愿意吐露的话XD(这不是藏一手啦>"<) 或是自己去翻以前的文章，找的到就是有原啦XD 我只说说最常用的两个方法 i. Miller Theorem V1---Z---V2 = K*V1 = = 这样一个电路 我们可以拆成两个电路 V1-- --V2 | | Z1 Z2 | | = = 我们可以发现 I1 = V1/Z1 = (V1-V2)/Z = (1-K)V1/Z 所以 Z1 = Z/(1-K) 同样的方法 Z2 = Z/(1-1/K) 用这个方法 我们可以达成这样的分析 input port ωH = 1/Rsig'(Cgs+(1+gmRl')Cgd) output port ωH = 1/Rl'(Cl+Cgd) 挑一个比较小的就是了，如果很接近的话 那就用ωH = 1/Σ(RxCx) （不要担心，这些分析都是估计的，所以有误差没差啦） ii.open ckt 就是当每个电容互相不会影响 所以每个电容看出去看看有看到什麽样的电阻 τx = CxRx ωH = 1/Στx 这样说大概很简单，不过你要自己对照课本然後去练习 先讲到这吧...... --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 220.135.83.97