目前碰上個麻煩 我在做個project有embedded sram 因為spec限制size卡太緊 所以wordline只能做global, 沒辦法加sub-wordline(面積會撐大) 同樣的原因, 只能把整塊sram切成四個bank(多一個bank多一組decoder) 這樣是勉強塞進spec裡.. 目前是一個bank大概1300um, 一條wordline看到近800個bit cell.... 問題來了 我在做write動作時, 整條wordline上的800個cell, gate全打開了 所以我全部的bit-line precharge必須都release 免得把不相干的cell裡存的值動到 這樣一來, write結束後就有800條bit-line同時做precharge 瞬間電流相當驚人~~ 我想問的是, 有沒有什麼方法可以在不影響面積的前提下能省到電.... 我知道這是trade-off 但我想, 在有人想出用sub-wordline這種方法之前, 應該也會面對同樣的問題 不曉得那個時代的人是用什麼方法省電? 還是sub-wordline就是解法..... 感謝 --

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