目前碰上个麻烦 我在做个project有embedded sram 因为spec限制size卡太紧 所以wordline只能做global, 没办法加sub-wordline(面积会撑大) 同样的原因, 只能把整块sram切成四个bank(多一个bank多一组decoder) 这样是勉强塞进spec里.. 目前是一个bank大概1300um, 一条wordline看到近800个bit cell.... 问题来了 我在做write动作时, 整条wordline上的800个cell, gate全打开了 所以我全部的bit-line precharge必须都release 免得把不相干的cell里存的值动到 这样一来, write结束後就有800条bit-line同时做precharge 瞬间电流相当惊人~~ 我想问的是, 有没有什麽方法可以在不影响面积的前提下能省到电.... 我知道这是trade-off 但我想, 在有人想出用sub-wordline这种方法之前, 应该也会面对同样的问题 不晓得那个时代的人是用什麽方法省电? 还是sub-wordline就是解法..... 感谢 --

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