我做個小補充 1. Metal 與 Si 由於work function 差異, 兩者接觸的話, 在介面地方會有 diode 的特性, 這是不樂見的.我們希望的是能具備電阻的I-V特性. 最簡單 的解法有二. 一是打高濃度的N 或者是 p. 如此可以減少barrier 的寬度, 電壓反偏時carrier 會以 tunning 方式傳輸而達到電阻特性. 第二種方法是以metal 如 Ti,Co,Ni 等金屬與Si 經過熱處理產生合金. 此合金亦符合電阻I-V特性. 2. 以MOSFET 這個元件而言, 他有四個端點, 即 Drain/source/Gate/Bulk. 在Al世代古老的早期製程裡, 元件之四個端點是直接經由Al與Si 的接觸而達 到連接. 經過一些thermal ,Al 會吃Si, 從Drain或Sorce端吃穿到Bulk,此 即為 junction spike. 這時後就等於 drain/source/bulk 全部被Al 連在一 起. 四端元件變成兩端元件(Gate 與 Drain/source/bulk), 除非desinger當初 剛好是這樣設計(ex:電容), 否則電路會fail. ==> 在 [email protected] (chris) 的文章中提到: > Q1.自我對準金屬矽化合物(salicide) > 在行成矽化金屬會自動與源極,汲極和多晶矽閘極對準 > Q2.Junction Spike現象 > 我想你問的是不是鋁會跑到矽裡面的Junction Spike > 因為鋁容易和SiO2反應,溫度升高時矽源就會跑出來而和鋁反應,因此在wafer > 會留下孔洞,而使得Junction Spike現象產生 > Q3.Reflow > 改善階梯覆蓋的方法==>使摻雜氧化絕緣層的轉角圓化並使側壁產生斜坡化 > 小的不材.. > 不知有沒有回答出你的問題 > 如果有錯誤還是有啥疑惑也請不吝指教~~~ > ※ 引述《Stevenchow (史提芬周)》之銘言： > : 在看書的時候發現幾個不解的名詞，想請教大家，如果有人會的話 > : 麻煩請回覆一下！謝謝。 > : 首先，請問什麼是自我對準金屬矽化合物(Self-aligned silicide) > : 我是在合金熱處理的部份看到的，不太明白這個在這部扮演什麼樣的角色。 > : 還有，在合金熱處理的時候，如果溫度太高就容易產生Junction Spike現象， > : 看起來這個現象似乎不太好，但是為什麼呢？哪裡不好？ > : 最後，為什麼Reflow過程可以使微影製程的解析度更好且使金屬化更順利呢？ > : 以上就是小弟的問題了，如果有網大知道的話，麻煩務必告訴我，謝謝！ > : 我的信箱：[email protected] > : 謝謝！ -- * Origin: ★ 交通大學資訊科學系 BBS ★ <bbs.cis.nctu.edu.tw: 140.113.23.3>