我做个小补充 1. Metal 与 Si 由於work function 差异, 两者接触的话, 在介面地方会有 diode 的特性, 这是不乐见的.我们希望的是能具备电阻的I-V特性. 最简单 的解法有二. 一是打高浓度的N 或者是 p. 如此可以减少barrier 的宽度, 电压反偏时carrier 会以 tunning 方式传输而达到电阻特性. 第二种方法是以metal 如 Ti,Co,Ni 等金属与Si 经过热处理产生合金. 此合金亦符合电阻I-V特性. 2. 以MOSFET 这个元件而言, 他有四个端点, 即 Drain/source/Gate/Bulk. 在Al世代古老的早期制程里, 元件之四个端点是直接经由Al与Si 的接触而达 到连接. 经过一些thermal ,Al 会吃Si, 从Drain或Sorce端吃穿到Bulk,此 即为 junction spike. 这时後就等於 drain/source/bulk 全部被Al 连在一 起. 四端元件变成两端元件(Gate 与 Drain/source/bulk), 除非desinger当初 刚好是这样设计(ex:电容), 否则电路会fail. ==> 在 [email protected] (chris) 的文章中提到: > Q1.自我对准金属矽化合物(salicide) > 在行成矽化金属会自动与源极,汲极和多晶矽闸极对准 > Q2.Junction Spike现象 > 我想你问的是不是铝会跑到矽里面的Junction Spike > 因为铝容易和SiO2反应,温度升高时矽源就会跑出来而和铝反应,因此在wafer > 会留下孔洞,而使得Junction Spike现象产生 > Q3.Reflow > 改善阶梯覆盖的方法==>使掺杂氧化绝缘层的转角圆化并使侧壁产生斜坡化 > 小的不材.. > 不知有没有回答出你的问题 > 如果有错误还是有啥疑惑也请不吝指教~~~ > ※ 引述《Stevenchow (史提芬周)》之铭言： > : 在看书的时候发现几个不解的名词，想请教大家，如果有人会的话 > : 麻烦请回覆一下！谢谢。 > : 首先，请问什麽是自我对准金属矽化合物(Self-aligned silicide) > : 我是在合金热处理的部份看到的，不太明白这个在这部扮演什麽样的角色。 > : 还有，在合金热处理的时候，如果温度太高就容易产生Junction Spike现象， > : 看起来这个现象似乎不太好，但是为什麽呢？哪里不好？ > : 最後，为什麽Reflow过程可以使微影制程的解析度更好且使金属化更顺利呢？ > : 以上就是小弟的问题了，如果有网大知道的话，麻烦务必告诉我，谢谢！ > : 我的信箱：[email protected] > : 谢谢！ -- * Origin: ★ 交通大学资讯科学系 BBS ★ <bbs.cis.nctu.edu.tw: 140.113.23.3>