作者onionys (.)
看板Chemistry
標題[實驗] OH基產生的問題
時間Wed Apr 9 22:29:19 2008
小的在半導體實驗上遇到了一個問題...
那就是要如何在Si wafer、SiO2及其他無機氧化物(ZnO、TiO2...)
的表面上佈滿-OH基
查了一些資料，還是不大清楚。
是要通H2O退火嗎？還是用H2O2去煮？...
還請知道的人能回答一下...orz...
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.163.68
1F：推 biotype:打O2 plasma 04/11 16:51
2F：推 spuit:嗯 化學方式是有的~~不過我想樓上應該是最好的方法? 04/11 23:02
3F：→ onionys:感謝感謝~~不過O2 plasma來源可能比較少...能否跟二樓 04/12 05:48
4F：→ onionys:問一下化學法的方式....拜託了~~Orz 04/12 05:49
5F：→ klwei:或許可以參考silica gel表面改質的方法! 04/14 15:00
6F：→ klwei:我知道的是用HCl(aq),可以增加silica gel表面-OH 04/14 15:01