作者onionys (.)
看板Chemistry
标题[实验] OH基产生的问题
时间Wed Apr 9 22:29:19 2008
小的在半导体实验上遇到了一个问题...
那就是要如何在Si wafer、SiO2及其他无机氧化物(ZnO、TiO2...)
的表面上布满-OH基
查了一些资料，还是不大清楚。
是要通H2O退火吗？还是用H2O2去煮？...
还请知道的人能回答一下...orz...
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.163.68
1F：推 biotype:打O2 plasma 04/11 16:51
2F：推 spuit:嗯 化学方式是有的~~不过我想楼上应该是最好的方法? 04/11 23:02
3F：→ onionys:感谢感谢~~不过O2 plasma来源可能比较少...能否跟二楼 04/12 05:48
4F：→ onionys:问一下化学法的方式....拜托了~~Orz 04/12 05:49
5F：→ klwei:或许可以参考silica gel表面改质的方法! 04/14 15:00
6F：→ klwei:我知道的是用HCl(aq),可以增加silica gel表面-OH 04/14 15:01