作者jaylin14 (摳逼接)
看板ChemEng
標題[製程] TSV孔洞電鍍填充
時間Tue Oct 2 13:51:14 2018
各位板友大家好
小弟的製程有一道是TSV(through silicon via)
簡言之就是將silicon挖穿一個洞
孔洞大小約為5-10um, 深200um
孔洞需要金屬填滿
目前的想法是電鍍銅進去
但不確定有沒有辦法填滿
根據此篇論文 DOI: 10.1038/srep46639
電鍍溶液中還加了suppressor, accelerator, levelling agent
是否在溶液中加入這些添加劑可使得孔洞填得更好呢
那這些添加劑應該怎麼選擇
謝謝
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1F：推 evan010: 先確認seedlayer是否完整再電鍍吧 42.72.17.71 10/03 00:57
有搜尋過相關資料，有找到興大化學有在代工填孔的服務，記得沒錯確實是竇教授，請問你是他的學生嗎，或許我可以站內信與你討論，謝謝
會先蒸鍍銅作為seedlayer沒錯，但不確定說是否孔洞的側壁也會有銅
※ 編輯: jaylin14 (36.226.150.15), 10/03/2018 01:37:58
2F：→ evan010: 深200應該是不會完整的seedlayer 42.72.17.71 10/05 19:44
3F：→ evan010: 若要完整可以請教中興大學化工系竇維平教 42.72.17.71 10/05 19:44
4F：→ evan010: 授 42.72.17.71 10/05 19:44
※ 編輯: jaylin14 (111.243.45.221), 10/06/2018 04:02:15