作者jaylin14 (抠逼接)
看板ChemEng
标题[制程] TSV孔洞电镀填充
时间Tue Oct 2 13:51:14 2018
各位板友大家好
小弟的制程有一道是TSV(through silicon via)
简言之就是将silicon挖穿一个洞
孔洞大小约为5-10um, 深200um
孔洞需要金属填满
目前的想法是电镀铜进去
但不确定有没有办法填满
根据此篇论文 DOI: 10.1038/srep46639
电镀溶液中还加了suppressor, accelerator, levelling agent
是否在溶液中加入这些添加剂可使得孔洞填得更好呢
那这些添加剂应该怎麽选择
谢谢
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1F：推 evan010: 先确认seedlayer是否完整再电镀吧 42.72.17.71 10/03 00:57
有搜寻过相关资料，有找到兴大化学有在代工填孔的服务，记得没错确实是窦教授，请问你是他的学生吗，或许我可以站内信与你讨论，谢谢
会先蒸镀铜作为seedlayer没错，但不确定说是否孔洞的侧壁也会有铜
※ 编辑: jaylin14 (36.226.150.15), 10/03/2018 01:37:58
2F：→ evan010: 深200应该是不会完整的seedlayer 42.72.17.71 10/05 19:44
3F：→ evan010: 若要完整可以请教中兴大学化工系窦维平教 42.72.17.71 10/05 19:44
4F：→ evan010: 授 42.72.17.71 10/05 19:44
※ 编辑: jaylin14 (111.243.45.221), 10/06/2018 04:02:15