作者Eighteen18 (波卡先生)
看板ChemEng
標題[製程] RF Sputter DC bias
時間Tue Sep 24 14:59:23 2013
各位前輩好:
小弟最近在濺鍍ITO薄膜時，薄膜的品質很不穩定，
同一Round的實驗中，有些鍍出來偏黃(特性差)、淡藍(特性好)
後來發現DC bias的值會隨著濺鍍時間增加而上升，
我使用的參數為50W 1 mtorr，偏壓值從128上升到142 (45分鐘)
所以猜測說DC bias值上升使薄膜沉積的品質變差?
(因為DC bias的定義為正負極間施加的電場，使Ar解離)
請問各位先進,
會影響到DC bias大小的因素有那些?
感謝~~
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.138.177.167
1F：→ yen21:我覺得因跟果搞反了耶 111.252.155.7 09/24 20:10
2F：推 pttresident:Self DC bias的話，是因電子跑比離子 1.162.65.5 09/28 15:47
3F：→ pttresident:快而造成，影響它的因素大概有功率、 1.162.65.5 09/28 15:48
4F：→ pttresident:壓力、材料等 1.162.65.5 09/28 15:48