作者Eighteen18 (波卡先生)
看板ChemEng
标题[制程] RF Sputter DC bias
时间Tue Sep 24 14:59:23 2013
各位前辈好:
小弟最近在溅镀ITO薄膜时，薄膜的品质很不稳定，
同一Round的实验中，有些镀出来偏黄(特性差)、淡蓝(特性好)
後来发现DC bias的值会随着溅镀时间增加而上升，
我使用的参数为50W 1 mtorr，偏压值从128上升到142 (45分钟)
所以猜测说DC bias值上升使薄膜沉积的品质变差?
(因为DC bias的定义为正负极间施加的电场，使Ar解离)
请问各位先进,
会影响到DC bias大小的因素有那些?
感谢~~
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◆ From: 140.138.177.167
1F：→ yen21:我觉得因跟果搞反了耶 111.252.155.7 09/24 20:10
2F：推 pttresident:Self DC bias的话，是因电子跑比离子 1.162.65.5 09/28 15:47
3F：→ pttresident:快而造成，影响它的因素大概有功率、 1.162.65.5 09/28 15:48
4F：→ pttresident:压力、材料等 1.162.65.5 09/28 15:48