作者remixshow (Hey yo)
看板ChemEng
標題[材料] XRD 與低掠角XRD量測問題
時間Mon Dec 10 17:12:15 2012
我的量測樣品是20nm的鍺薄膜利用CVD的方式沉積在矽基板上
目前想利用XRD做結構分析
在使用2theta-omega的XRD量測方法時
在2-theta約69度時有很強的訊號
在查資料庫後，確定是矽材料 <400>的晶向
但當我們改成低掠角的量測時
光束和基板角度為一度
發現所有的訊號皆偏移13度
也就是原本應該出現在69度的訊號變為56度
查資料庫矽材料56的晶向為<311>
想請問版上有無大大遇過這樣的問題
有沒有甚麼建議可以給我，感激不敬
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.115.40.141
1F：→ lee988325:雖然應該是不太可能 不過還是問一下140.121.202.126 12/24 11:05
2F：→ lee988325:兩台XRD的光源都是Cu靶嗎140.121.202.126 12/24 11:06
3F：推 pk21637:這我有遇見過~不過我確定這兩根都是Si的 140.127.207.83 12/25 19:37
4F：→ pk21637:peak 140.127.207.83 12/25 19:37
5F：推 boushan:才20nm怎可能用XRD來打 就算是GIXRD也有困 218.35.229.72 09/03 10:37
6F：→ boushan:困難 還是乖乖用TEM吧 218.35.229.72 09/03 10:37