作者remixshow (Hey yo)
看板ChemEng
标题[材料] XRD 与低掠角XRD量测问题
时间Mon Dec 10 17:12:15 2012
我的量测样品是20nm的锗薄膜利用CVD的方式沉积在矽基板上
目前想利用XRD做结构分析
在使用2theta-omega的XRD量测方法时
在2-theta约69度时有很强的讯号
在查资料库後，确定是矽材料 <400>的晶向
但当我们改成低掠角的量测时
光束和基板角度为一度
发现所有的讯号皆偏移13度
也就是原本应该出现在69度的讯号变为56度
查资料库矽材料56的晶向为<311>
想请问版上有无大大遇过这样的问题
有没有甚麽建议可以给我，感激不敬
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.115.40.141
1F：→ lee988325:虽然应该是不太可能 不过还是问一下140.121.202.126 12/24 11:05
2F：→ lee988325:两台XRD的光源都是Cu靶吗140.121.202.126 12/24 11:06
3F：推 pk21637:这我有遇见过~不过我确定这两根都是Si的 140.127.207.83 12/25 19:37
4F：→ pk21637:peak 140.127.207.83 12/25 19:37
5F：推 boushan:才20nm怎可能用XRD来打 就算是GIXRD也有困 218.35.229.72 09/03 10:37
6F：→ boushan:困难 还是乖乖用TEM吧 218.35.229.72 09/03 10:37