作者wang0719 (麥子)
看板ChemEng
標題[問題] sputter 問題
時間Sun Sep 12 15:07:37 2010
想請問各位先進~
小的在sputter時有遇到一點問題!!
我的靶材是La,SrMnO3(LSMO)的陶瓷材料~是自己做的靶材~包括黏到銅背板上
大家都知道~RF POWER的濺鍍速率都很慢~就算是
RF100W~也幾乎是3nm/min的速率
但是我在濺鍍了30min by RF100w之後~去做了
1.厚膜測量 2.XPS 表面分析得到的結果
膜厚有莫約1500A,而XPS分析的結果~sample的碳含量大概有40~50%
所以很明顯~!怪異的沉積速率幾乎都是C!
我想了又想~有可能跑出這麼多C的地方~大概就是靶材跟銅背板中間的銀膠
除了這邊我實在想不到有哪裡有可能跑出這麼多C
所以想請問各位有做過sputter的先進們!
有沒有遇過這種情況!?
如果有遇到的話又該建議怎麼解決呢!?
我已經問過我偉大的老闆~他不會...
先感謝各位~
謝謝
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 114.42.110.190
1F：推 YiQuan:做靶過程中的BINDER～燒結沒完全～導致濺鍍時C量很多 09/12 19:34
2F：→ wang0719:請問這樣有什麼解決方法嗎?因為做靶一定會加~還是可忽略? 09/13 17:21
3F：推 YJM1106:看書上寫過 若你燒得時候增溫太快 有可能讓黏著劑交聯 09/13 20:09
4F：→ YJM1106:變成更難燒的玩意 09/13 20:09
5F：→ YiQuan:第一把升溫時間拉長～另外找你的BINDER的去除溫度 09/14 16:41
6F：→ YiQuan:在該溫度持溫長時間去做De-Binder的動作 09/14 16:42
7F：→ YiQuan:第二去找商用binder~非PVA系統~壓克力樹脂類 09/14 16:43
8F：→ YiQuan:並找廠商給De-Binder溫度即可 09/14 16:44
9F：推 chenyppl:做XPS 時 是否有用ion gun 清表面? 會差很多 09/17 17:02