作者hally07 (等待!!)
看板ChemEng
標題[材料] 想請教一些關於Cu metallization(diffusion barrier)的問題
時間Mon Dec 29 00:54:27 2008
我最近發現~
我實驗我把Cu直接鍍到Si晶片上~~
發現他退火到很高溫(600度)他的電阻還沒有跑得很高!!
不想有些期刊說三百多度電阻就會跑很高~~~
不知道是發生了什麼事!
跟Si晶片有關係嗎!!還是我哪裡出了錯!!
謝謝!!
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◆ From: 140.118.222.111
1F：推 ChrisPaul03:增加電阻要做什麼？ 12/29 12:09
2F：推 singingMuse:電阻應該跟結晶化程度有關係，Cu要結晶還滿容易的 12/29 15:46
3F：→ singingMuse:182吧，不太確定，就可以結晶化了。六百多度還滿高的 12/29 15:46
4F：→ singingMuse:不過光是這樣寫應該也不太知道哪裡出錯吧＠＠ 12/29 15:46
5F：推 YJM1106:會不會是溫度太高 然後grain boundary就變少 電阻反而掉了 12/29 16:49
6F：→ wwwea:冒昧請問一下 metallization是什麼意思? 12/30 23:23
7F：→ hally07:我們是希望電阻要低~~可是我在做cu/si之間沒有barrier電阻 12/31 02:01
8F：→ hally07:一直很低~~~沒有像文獻一樣~~~真煩 12/31 02:02
9F：→ hally07:正常就是cu/barrier/si~~~他可以撐很高溫電阻值又很低 12/31 02:03