作者hally07 (等待!!)
看板ChemEng
标题[材料] 想请教一些关於Cu metallization(diffusion barrier)的问题
时间Mon Dec 29 00:54:27 2008
我最近发现~
我实验我把Cu直接镀到Si晶片上~~
发现他退火到很高温(600度)他的电阻还没有跑得很高!!
不想有些期刊说三百多度电阻就会跑很高~~~
不知道是发生了什麽事!
跟Si晶片有关系吗!!还是我哪里出了错!!
谢谢!!
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◆ From: 140.118.222.111
1F：推 ChrisPaul03:增加电阻要做什麽？ 12/29 12:09
2F：推 singingMuse:电阻应该跟结晶化程度有关系，Cu要结晶还满容易的 12/29 15:46
3F：→ singingMuse:182吧，不太确定，就可以结晶化了。六百多度还满高的 12/29 15:46
4F：→ singingMuse:不过光是这样写应该也不太知道哪里出错吧＠＠ 12/29 15:46
5F：推 YJM1106:会不会是温度太高 然後grain boundary就变少 电阻反而掉了 12/29 16:49
6F：→ wwwea:冒昧请问一下 metallization是什麽意思? 12/30 23:23
7F：→ hally07:我们是希望电阻要低~~可是我在做cu/si之间没有barrier电阻 12/31 02:01
8F：→ hally07:一直很低~~~没有像文献一样~~~真烦 12/31 02:02
9F：→ hally07:正常就是cu/barrier/si~~~他可以撑很高温电阻值又很低 12/31 02:03