※ 引述《a124153 (Terence)》之銘言： : 因為要跑medici模擬的關係,需要InGaAsSb這個材料的擴散係數 : 或是有什麼方法可以將InGaAs與GaAsSb這兩個材料的擴散係數算出InGaAsSb的擴散係數? : 謝謝 同學您好 我幫您找到一些資料是關於InGaAs的 如下 在發展THz 電晶體時，藉由能帶結構設計以提高元件的電流密度及電流增益截止頻率是一 個重要的方式。本實驗室在前年提出一種以銻砷化銦鎵(InGaAsSb)為基極的新型異質接面 雙載子電晶體，此種電晶體不但具有超低的開啟電壓，亦有優秀的高頻特性。本論文專注 於探討此種電晶體中，銻砷化銦鎵基極材料對於元件電流增益截止頻率，最大電流密度， 以及載子傳輸特性的影響。 本研究成功地製作了射極面積為1×10 μm2 的小元件，其電流增益截止頻率為222 GHz， 最大電流密度為576 kA/cm2，與傳統的砷化銦鎵單異質接面雙載子電晶體比較(217 GHz， 372 kA/cm2)，有明顯的優勢。經由小訊號參數分析，可萃取得到此電晶體基極的電子擴 散係數(Dn)約為95.7cm2/s，其集極平均速度高達 3.2×107 cm/s，約為傳統砷化銦鎵單 異質接面雙載子電晶體的1.28 倍，證實了此電晶體之優越性。 參考於國立中央大學 以上希望可以幫到您的忙 --

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