※ 引述《a124153 (Terence)》之铭言： : 因为要跑medici模拟的关系,需要InGaAsSb这个材料的扩散系数 : 或是有什麽方法可以将InGaAs与GaAsSb这两个材料的扩散系数算出InGaAsSb的扩散系数? : 谢谢 同学您好 我帮您找到一些资料是关於InGaAs的 如下 在发展THz 电晶体时，藉由能带结构设计以提高元件的电流密度及电流增益截止频率是一 个重要的方式。本实验室在前年提出一种以锑砷化铟镓(InGaAsSb)为基极的新型异质接面 双载子电晶体，此种电晶体不但具有超低的开启电压，亦有优秀的高频特性。本论文专注 於探讨此种电晶体中，锑砷化铟镓基极材料对於元件电流增益截止频率，最大电流密度， 以及载子传输特性的影响。 本研究成功地制作了射极面积为1×10 μm2 的小元件，其电流增益截止频率为222 GHz， 最大电流密度为576 kA/cm2，与传统的砷化铟镓单异质接面双载子电晶体比较(217 GHz， 372 kA/cm2)，有明显的优势。经由小讯号参数分析，可萃取得到此电晶体基极的电子扩 散系数(Dn)约为95.7cm2/s，其集极平均速度高达 3.2×107 cm/s，约为传统砷化铟镓单 异质接面双载子电晶体的1.28 倍，证实了此电晶体之优越性。 参考於国立中央大学 以上希望可以帮到您的忙 --

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