※ 引述《PDADDY (All Eyez On Me)》之銘言： : ※ 引述《cellowu (cellowu)》之銘言： : : (1)放在大氣中氧化的wafer : : (2)PECVD 用TEOS 長的oxide : : (3)市售的SiO2 : : (2,3)都是水藍色的 : : 這個在未吃過HF 前碰到水時都是疏水性,只是他的水珠稍為大顆一點 : : 但一吃過HF會先馬上變親水性,再變疏水性 : 如果指的氧化層厚度都是100nm左右的話 : 2跟3應該都是未拋光的片子 : 不過2我沒試過未拋光座氧化層的親疏水性測試 : 但是1跟3我很確定浸泡HF之前是完全的親水性 : 因為整片wafer都覆蓋滿水 而不是水珠 : 至於化學拋光過後 : 3我有做過浸泡HF觀察變化 : 不過都是完全疏水性 : 剛剛很無聊跑去翻以前的片子做了一下測試 : 測試片是市售sc 4~8" 還有自己生長的mc 2~3" : 都是p-type light doped : 可不可以請C版友說明一下 : 這是您的經驗或是有文獻提到嗎 : 我想這或許是這個版最重要的地方 : 大家可以提供自己的經驗 : 供大家在實驗或是遇到問題的時候 : 能有一些參考的部分 我說的oxide 都是成長在si wafer (polish side) 而(3)我是直接拿市售的SiO2 wafer polish side 去碰水大小約2*2cm^2 結果是疏水性 (2)PECVD 用TEOS 長SiO2 後來再用微顥蝕刻(正光阻),我的線寬還滿大的 --- SiO2--- ---SiO2 Si Si Si 上圖是希望成長的樣子，但不知道HF對光阻劑etch rate是多少，怕連光阻都被吃光 再來連SiO2 都沒了,因此原本想用親水or 疏水來check ，但不行因為原本的SiO2 本身就是疏水，必須先吃過HF 的SiO2 才會變成親水，但如果拿去吃HF 我所要的pattern 也就沒了，最後是直接用XPS來check -- --

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