作者cellowu (cellowu)
看板ChemEng
标题Re: [请问]氢氟酸与矽
时间Fri Nov 7 00:19:52 2008
※ 引述《PDADDY (All Eyez On Me)》之铭言:
: ※ 引述《cellowu (cellowu)》之铭言:
: : (1)放在大气中氧化的wafer
: : (2)PECVD 用TEOS 长的oxide
: : (3)市售的SiO2
: : (2,3)都是水蓝色的
: : 这个在未吃过HF 前碰到水时都是疏水性,只是他的水珠稍为大颗一点
: : 但一吃过HF会先马上变亲水性,再变疏水性
: 如果指的氧化层厚度都是100nm左右的话
: 2跟3应该都是未抛光的片子
: 不过2我没试过未抛光座氧化层的亲疏水性测试
: 但是1跟3我很确定浸泡HF之前是完全的亲水性
: 因为整片wafer都覆盖满水 而不是水珠
: 至於化学抛光过後
: 3我有做过浸泡HF观察变化
: 不过都是完全疏水性
: 刚刚很无聊跑去翻以前的片子做了一下测试
: 测试片是市售sc 4~8" 还有自己生长的mc 2~3"
: 都是p-type light doped
: 可不可以请C版友说明一下
: 这是您的经验或是有文献提到吗
: 我想这或许是这个版最重要的地方
: 大家可以提供自己的经验
: 供大家在实验或是遇到问题的时候
: 能有一些参考的部分
我说的oxide 都是成长在si wafer (polish side)
而(3)我是直接拿市售的SiO2 wafer polish side 去碰水大小约2*2cm^2
结果是疏水性
(2)PECVD 用TEOS 长SiO2 後来再用微颢蚀刻(正光阻),我的线宽还满大的
--- SiO2--- ---SiO2
Si Si Si
上图是希望成长的样子,但不知道HF对光阻剂etch rate是多少,怕连光阻都被吃光
再来连SiO2 都没了,因此原本想用亲水or 疏水来check ,但不行因为原本的SiO2
本身就是疏水,必须先吃过HF 的SiO2 才会变成亲水,但如果拿去吃HF 我所要的pattern
也就没了,最後是直接用XPS来check
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◆ From: 140.118.235.88
※ 编辑: cellowu 来自: 140.118.235.88 (11/07 00:22)
1F:推 PDADDY:所以我想这就跟当初文中提到表面有无抛光有关联性 11/07 01:34
2F:→ PDADDY:若是浸泡之後变亲水 应该是SiO2表面变成孔洞性 而非平整面 11/07 01:35
3F:→ PDADDY:再浸泡後整层氧化层不见变成原本的矽表面 所以又呈现疏水面 11/07 01:36