※ 引述《hodancebear (Joseph)》之銘言： : 小弟的專題正在做個非揮發性記憶體元件 : 必須在晶圓的背面鍍上Al當電極 : 但是晶圓背面所生成的二氧化矽會造成不必要的電容產生 : 所以我想請問前輩們晶圓上所生成的二氧化矽除了用buffer oxide etchant清除外 : 還有沒有什麼方法可以清除掉? : 希望是實驗室裡能做得到的 : 感激不盡^^ 我想你所說的氧化物是指放在空氣中自然生成的氧化物吧 這個是native oxide 最簡單的就是使用HF清洗掉 推文中也提到可以使用NaOH的溶液 不過NaOH溶液洗掉silicon dioxide的時間需要很久 如果加熱的話會比較快一些 不論加熱與否時間都不好抓 如果過頭 silicon表面就會被蝕刻 也就是solar cell製程裡常見的alikane texture 所以最簡單的還是使用HF 濃度不一定要使用到高濃度的 (一般是48~51%) 可以使用DI水稀釋 浸泡到表面呈現"疏水"面即可 室溫中silicon表面會形成氧化層 但是其實速度不會那麼快 另外 BOE裡面洗掉氧化層的就是HF 不過有添加一些buffer 讓速度不會那麼快 剛剛提到的添加DI水 其實就是類似buffer的意思 -- "It's not about east or west, it's about niggaz and bitches, power and money, riderz and punks!" 這不關於東岸或是西岸,而是關於兄弟和女人,權力和金錢,領導者和卒仔....... by 2pac --

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