※ 引述《hodancebear (Joseph)》之铭言： : 小弟的专题正在做个非挥发性记忆体元件 : 必须在晶圆的背面镀上Al当电极 : 但是晶圆背面所生成的二氧化矽会造成不必要的电容产生 : 所以我想请问前辈们晶圆上所生成的二氧化矽除了用buffer oxide etchant清除外 : 还有没有什麽方法可以清除掉? : 希望是实验室里能做得到的 : 感激不尽^^ 我想你所说的氧化物是指放在空气中自然生成的氧化物吧 这个是native oxide 最简单的就是使用HF清洗掉 推文中也提到可以使用NaOH的溶液 不过NaOH溶液洗掉silicon dioxide的时间需要很久 如果加热的话会比较快一些 不论加热与否时间都不好抓 如果过头 silicon表面就会被蚀刻 也就是solar cell制程里常见的alikane texture 所以最简单的还是使用HF 浓度不一定要使用到高浓度的 (一般是48~51%) 可以使用DI水稀释 浸泡到表面呈现"疏水"面即可 室温中silicon表面会形成氧化层 但是其实速度不会那麽快 另外 BOE里面洗掉氧化层的就是HF 不过有添加一些buffer 让速度不会那麽快 刚刚提到的添加DI水 其实就是类似buffer的意思 -- "It's not about east or west, it's about niggaz and bitches, power and money, riderz and punks!" 这不关於东岸或是西岸,而是关於兄弟和女人,权力和金钱,领导者和卒仔....... by 2pac --

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