作者ggness (ystan)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] 请问3G PA效率和线性度为何成反比
时间Mon Jul 20 15:24:25 2015
※ 引述《timer000 (祝我们平安^_^)》之铭言:
: 小弟已在RF领域工作数年,
: 研究所的专精比较偏电磁学领域,
: 电子学大学有读,但是这几年忘了很多
: 前几天主管突然要我跟大家报告,
: 为何再调LOAD PULL时,
: PAE好,ACLR就会差的原因(也就是线性度差)
: 结果小弟花了许多时间,
: 找到的资料都是对具体现象的描述,
: 还回去重念电子学,结果发现电子学几乎没提到线性度的问题
: 连三阶谐波都没提到= =
: (我念到CMOS放大器如何组成,对线性度的问题,几乎没讨论)
: 当3G PA(A类PA)接近饱和区时,Pdc会降
: (但为什麽会降,找不到什麽具体的资料)
: 当3G PA接近饱和区时,线性度会降
: (有资料提及,这和元件特性非理想有关
: 各频率会有不同的GAIN值,但为何越远离饱和区,这问题就会变小?)
: 想请问各位,有没有更好的说法> <
: 这两天都躲在家里K书,还找不到什麽答案...
建议楼主可以从PA circuit design 看,一般RF system比较少讨论这一点,这问题属於P
A design的基本概念,所以paper上通常都不会讨论这概念。
简单的回答楼主的问题。
首先,
PAE = (Pout - Pin)/ Pdc
Pdc 基本不变,假设你的bias都fix 了,唯一可以提升PAE的就是increase Pout, 这应
该很明显。问题就出在这。当你的讯号大到一定的程度时,你的 peak to peak 讯号会 c
lipping。这clipping 就产生了 non linearity 因而导致 ACLR performance 下降。
我懒得打太多,如果想要很仔细的理解的话,建议楼主从基本的PA circuit level desig
n 下手会比较简单。只要看懂了 classA 和 B 应该就OK了。公式自己推一推就不难解释
这问题了。
希望有回答到你的问题。
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