作者ZAQEDCXSW (白开水)
看板comm_and_RF
标题[问题] 半导体物理问题
时间Thu Jan 12 19:19:31 2012
各位半导体物理大师
有一问题想请教
麻烦帮忙解答
题目：
一个ideal Si PN juction,
P-type的阻值为1欧姆cm,
其recombination lifetime τn = 10的-6次方s,
N-type的阻值为0.2欧姆cm,
τp = 10的-8次方s,
请回答下列问题；
A. Built-in votage?
B. 当顺向偏压为0.589V，请计算个空乏区与neutral区边界的少数载子密度。
C.画出B小题整个PN -diode之majority与MINORITY CARRIER的分布。
谢谢
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◆ From: 140.120.121.109