作者landau0426 (回头去追)
看板comm_and_RF
标题[问题] buffer layer
时间Wed Sep 30 15:45:43 2009
想请问一下
如果我想在一个PN junction中夹入一层buffer layer
ex n-ZnO/buffer layer/p-si
夹在中间的buffer layer必须要有哪些特性才可以
以下哪些材料可做选择
ex. p-porous si,iTO,MgO,SiO2,AlN,GaN,si3N4
厚度大约多少即可?取得比较容易的有哪些?
谢谢
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