作者ihlin ()
看板comm_and_RF
标题[问题] on-chip 的 PA output matching怎麽做？
时间Fri Mar 24 15:41:57 2006
如果在不能用microstrip line做matching的情况下，
真的是把device size和current 调到使drain的阻抗为Z0吗？
感觉不太合理，可是用LC的话，又对package bondwire很敏感，
难道要每一换package就换LC值吗？
想来想去想不到一个方法，在5G以下的CMOS制程，
到底要怎麽样设计一个PA让他只要挂一个RFC电感和一个很大的AC coupling CAP就好，
不用加外面的matching network，
而且又能在不同的package下不用改变设计太多呢？
板上强者们的公司里都是怎麽做这件事的啊？
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◆ From: 69.109.66.27
1F：推 pow:我不是高手 可是我觉得TANK功能有限...能不能改Z0？ 03/24 21:44
2F：推 goverz:呼,这也是我现在面临很大的挑战,一堆案子都是要no matching 03/25 12:10
3F：→ goverz:我不知道你们做CMOS的要怎麽做,不过我们这种GaAs的IDM厂 03/25 12:10
4F：→ goverz:来说,我们的确是连所用的package都一起考虑到matching里的 03/25 12:12
5F：→ goverz:这也是我觉得这种东西design house应该搞不来的原因 03/25 12:13
6F：→ goverz:我们自己有自己的封装厂,都得要tune好一阵子了 03/25 12:13
7F：→ goverz:如果使用bondwire去做matching的话,又有封装上量率的问题 03/25 12:14
8F：→ goverz:良率的问题,所以现在觉得如何设计一个好电感真的很重要 03/25 12:15
9F：→ goverz:CMOS那边应该有很多做好电感的paper吧 03/25 12:15
10F：→ goverz:我们做GaAs的只有两层金属,其中一层又薄到不行loss超大 03/25 12:16
11F：→ goverz:所以要搞出一个好电感反而看起来没有搞CMOS的简单啊 03/25 12:16
12F：→ goverz:尤其是做PA你得考虑到电感的限流问题,又要chip面积小 03/25 12:18
13F：→ goverz:所有的想法都只有真的下线去封来试试看啦,我现在也只能这样 03/25 12:18
14F：→ goverz:做.还好所有的制造流程都是自家的,我真不能想像这种东西要 03/25 12:19
15F：→ goverz:委托代工的做tune起来要花多少钱 03/25 12:20
16F：推 goverz:手上现在最新的案子是要做一颗1.5mmx1.5mm的802.11g PA 03/25 12:24
17F：→ goverz:不能有外部matching的,这麽小的size连bondwire都没得运用 03/25 12:24
18F：→ goverz:其实大的package反而好做no-matching 03/25 12:25
19F：→ goverz:我做这种超小package最长的bondwire电感值无法超过0.5nH 03/25 12:26
20F：→ goverz:在2.4GHz根本值太小,只有想办法好好做chip上的电感了 03/25 12:26