※ [本文转录自 graduate 看板] 作者: trueclamp (克蓝普) 看板: graduate 标题: [心得] 电子学 时间: Tue Aug 15 21:45:59 2006 我的资源： 大硕补习班刘明彰老师 93秋 94暑(重听) 94秋(重听) 95题库 刘明彰笔记(自抄) Smith电子学 4th 原文 中译本 习题解答 Smith电子学 5th 原文 中译本 习题解答 刘明彰猎杀电子学(上)(下) 刘明彰经典题库~1 刘明彰题库班T1 刘明彰经典题库~1解答本 刘明彰电子学考古题解答(95.94.93~91) 我的经验： 学校把电子学拆成三个学期来教，一学期换一位教授，可是有些地方还是草草带过，或者 来不及教完，再加上大学太混，考试前才临时抱佛脚，所以基础并不扎实。 93年秋季班正值大三上，虽然暑假已经补过工数，秋季只补电子学，可是大三吃重的课业 仍让我觉得补习来很累，咬着牙苦撑整个课程没有缺课，让我把自己的精美笔记完成，上 课内容大略只听懂５成，由於底子不好，很多东西都好像第一次学，又好像以前做梦梦过 ，只有到後半段时，和学校教的部分重叠产生共鸣，才算是比较有吸收。 94年暑期班开始後旁听人数爆满，再加上我又补电磁学和半导体，所以这段时间上课状况 很差，笔记也没怎麽写，虽然没缺课，可惜效率不好。 94年秋季班再回来重听，和几位同学一起冲（都考得比我好），这时候发现之前自己抄的 笔记发挥很大作用，由於刘明彰老师春暑秋内容上会有些差异，因此我在秋季班抄的笔记 在之前暑期班上课时总感觉不太搭，然而现在上秋季班时就没有这种感觉，因为笔记只需 要再加上刘明彰老师补充的一些整理，还有上课提到有哪些必背公式作记号外，主要都以 听课为主，回去就立刻算猎杀和题库本，一直追着刘明彰的进度（很困难也很累），有不 会的或是观念及解题技巧都和同学一起讨论，整个课程也都没有缺课或进度落後。 95年题库班时，由於题库本和经典题库差不多，大多数题目已经算过，纵使刘明彰上课速 度飞快如行云流水，也觉得能唤醒解题的印象。 学习过程： 我开始算题目时是在94年秋季班，要算猎杀和题库本，即使猎杀有勘误本，但是错误仍不 少，都是和同学讨论才敢确定自己是对的，而题库本的答案更是错误一堆，还好我手上那 解答本上有详解，省去我不少时间（而且都是以刘明彰观念和解法），可是那本并不是每 题都有解答，所以我还会去翻Smith来看（刘明彰经典题库在Smith几乎都有），由於 Smith解答和刘明彰的解法不同，我都会重新再思考写下自己的版本，另一方面，有什麽 遗忘或是不熟的，我都可以迅速翻阅我的笔记找到（因为是自己的），而且每天或多或少 都一定有念电子学，就这样持续到题库班，再开始算考古题和题库本。 内容部分： 刘明彰解题期望以考试能花较少时间的方式解题，讲究背最少的公式，然後用基本电路解 法去解题，所以不会有太多庞大的解题过程，着重於观念上的应用，而不是死记每题的解 法，当然有些题目用必须用些特殊技巧，会有卓越的效果时，刘明彰才会说：「你就背下 来吧！」，感觉上虽然背的不少，但是一想到和那本怪物Smith和考前能整理出一张A4所 有的必背公式相较，的确省下很多时间和功夫，这套方法的确有学习的价值！ 另外，介於青黄不接的时代，我对Smith 5th没太多好感，就算和4th比删了很多东西，却 不能确定不会考，然後5th有些解法和4th不同，造成有些公式和结果与4th不同，都必须 将自己的知识修正为5th版本（还要打听哪间学校用第几版，考试才用哪种版本写），5th 只比4th多一点东西，还有讲一些新的未来发展技术（考试又不会考 Orz），再来5th着 重准确度，所以计算上会用比较复杂的方式解，我必须说这样严谨是好的，4th有些解法 出来只是近似，误差有些还颇大，但是对於考试而言，这样解法根本行不通，当你解完这 题时搞不好已经打钟了，如果两种答案都是可接受的答案，当然要选在考试能解出来的方 式，最後我只觉得5th的价值在於解答本比4th好太多太多，4th解答本真是惨不忍睹…。 重点整理： 0.电路技巧： 电压单位用伏特，电流用ｍＡ，电阻用ｋΩ 三种戴维宁电路技巧 节点电压法 负载线图解法 将BJT和MOS视为两颗特殊的diode 叠代解 假设与验证 (1)Diode: ON-顺流 OFF-逆压 崩溃-逆流 (2)BJT: 主动-BC顺篇不足0.4V 饱和-Ic<βIb 截止-BE顺篇不足0.7V (3)FET: 饱和-GD off 欧姆-GD on 截止-GS off (4)OP: 线性-负回授 饱和-无负回授 关电源技巧:(1)重叠原理 (2)输出阻抗 (3)极点 pole (4)判断稳定度 1.Diode： Ｉ－Ｖ特性曲线，二极体公式 小讯号等效电路，动态电阻公式 二极体顺偏小讯号模型(三个参数的定义和公式) line-regulation和load-regulation公式 Clamping circuit 齐纳稳压器 2.半导体物理: mass-action law drift和diffuse current depletion region公式，built-in voltage公式 3.BJT active、saturation、cutoff三个工作区 Early effect Ebers-Moll model 4.MOS pinch-off(saturation)、ohmic(triode)、cutoff三种工作区 Early effect MOS工作模式的判断(才知道要带入哪个公式) 5.偏压 BJT: 分压偏压法、固定偏压法、集极回授偏压(一定active)、电流源偏压 MOS: 分压偏压法、固定偏压法、汲极回授偏压(一定saturation)、空乏式自偏 偏压稳定性sensitivity(考虑worst case) -- 单级放大器以後的我不知道怎麽用打的了... Orz --

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