作者uodam64402 (菜花被河蟹)
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标题Re: [新闻] 传辉达找台积电生产3D DRAMAI记忆体供应
时间Tue Nov 10 13:02:23 2026
※ 引述《a0808996 (dammmmm)》之铭言：
: 快讯／传辉达找台积电生产3D DRAMAI记忆体供应链恐迎新变局
: https://news.cnyes.com/news/id/6651653
: 优分析 Uanalyze2026-11-06 23:00
: 2026年11月06日（优分析／产业数据中心报导）
: 记忆体供应吃紧、价格上涨，晶片设计业者开始寻求更多供应来源。市场传出，台积电
: (2330-TW)正评估跨足先进记忆体生产，并应辉达NVIDIA(NVDA-US)要求，着手规划3D
: DRAM制造。若计画成行，台积电在AI晶片供应链的角色将从逻辑晶片代工与先进封装，
: 进一步扩展至记忆体制造。
: 根据The Information引述知情人士说法，台积电近期已开始拟定3D DRAM生产计画，但
: 何时投产、将如何取得所需厂房仍不清楚。台积电尚未对相关消息置评。
: 目前先进DRAM供应主要集中在三星、SK海力士与美光Micron(MU-US)。随着AI运算需求增
: 加，晶片设计业者对记忆体的需求也持续扩大，供应来源相对集中的情况下，寻找新产
: 能成为客户关注的问题。
: 台积电目前已透过先进封装参与AI晶片与高频宽记忆体(HBM)整合，并为SK海力士HBM4供
: 应基底晶粒。基底晶粒负责控制等逻辑功能，与储存资料的DRAM记忆体晶粒不同；此次
: 传出台积电评估生产3D DRAM，涉及的范围将进一步延伸至记忆体本身。
: 不过，3D DRAM仍处於评估及规划阶段，实际投产时间与产能规模尚未确定，短期能否增
: 加记忆体供应，仍需视後续建厂与制造进度而定。
: ※ 本文经「优分析」授权转载，原文出处:原文连结
: ※ 免责声明：文中所提的个股、基金、期货商品内容仅供参考，并非投资建议，投资人
: 应独立判断，审慎评估风险。
以下只是个人猜测其架构，且也只是硬体爱好者的个人论述，
而非真实有业界的说法，虽然有查过相关资讯，但以下的猜想也仅供参考：
这个3D DRAM不是单纯地把DRAM像HBM那样一层又一层的用TSV串起来，
而是在记忆架构上比较像早期Intel Iris Pro内显的eDRAM，
作为L4 Cache（由於Dram的电容讯号响应较SRAM开关组合慢，故不能用於L3 Cache），
L4到L3之间需要再过一层逻辑控管计算单元，
但其立体架构又像是AMD 3D Vcache那样，
把上述的L4 Cache架在逻辑运算晶粒（例如GPU Die）的上方或下方，
视哪一种常态单位面积发热量比较大（通常是逻辑），就放在上方。
再用Cu-Cu键合等方式来连接。
这种方式的好处就是Cache总容量可以再增大至少4倍以上，
达到256MB级以上，甚至GB级的L4 Cache，
减少资料运算在逻辑晶粒到HBM记忆体之间的时间与能量耗损。
但问题在於DRAM的结构限制，使运作温度上限比SRAM和逻辑晶粒还低，
且通常上方的逻辑晶粒温度较高，会对DRAM造成积热问题，
温度一旦升高，电容就容易漏电，需要经常输入电压电流更新稳态。
温度的梯度差异也会造成物理应力上的变化，制作时需保持加热後结构不变形。
这也非常考验tsmc在晶粒制程、後端组合封装的良率与稳定性。
也因为这种结构是结合逻辑晶粒与DRAM的制程，
因此目前也只有三星，理论上是完全且直接的台积电对手，
而美光与海力士，也只能在EDA设计上和台积电互相连络协调，
在Cu-Cu键合位置的设计上一致，再依与台积电确认过的设计，
进行DRAM Die的生产与测试，之後送往台积电，
进行洗净、研磨等表面加工，再与台积电生产的逻辑晶粒上下结合，
最後再做後端的封装测试，一切没问题就可出厂。
当然如果台积电在DRAM die上如果积累足够的研发专利壁垒，
且不与美光或是海力士有任何专利纠纷，或已经有相关授权，
才可能考虑连同DRAM die一起自身生产，
这也是目前台积电在这件新闻上最令人忧心的部分。
至於最早的消费级L4 DRAM Cache产品开发与生产的Intel，
就不知道何时才会有这种类似的东西，
再次出现在伺服器端，甚至消费者产品了。
如果证实该台积电要使用该技术无误，
则三星应该是股价受伤最重，
至於美光和海力士，就要看台积电的DRAM Die是要怎麽取得的了，
是来自这两个就会涨，反之如果是台积电自身制造就会跌。
Intel就完全不知道了，毕竟先前专利仍在，但在AI话语权就很单薄…。
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 123.192.6.23 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Stock/M.1794286945.A.4CC.html
1F：推 onekoni : No one car 大家都在看黄老二 11/10 13:05
※ 编辑: uodam64402 (123.192.6.23 台湾), 11/10/2026 13:07:28
2F：→ daniel6412 : 难 11/10 13:10
3F：推 iTWN : 这个die 不是要从华邦电跟南亚科拿吗? 11/10 13:14
4F：→ iTWN : 之前华邦电跟南亚科送样 就是为了这个阿?? 11/10 13:14
5F：推 peal1232000 : 这几年比较少听到在打专利侵权问题！ 11/10 13:17
6F：推 frozen : 分享给推 11/10 13:24
7F：→ uodam64402 : 华邦电和南亚科是也有可能，但这个DRAM最重要就是 11/10 13:24
8F：→ uodam64402 : 要耐受在高温下（80～90℃）的电子脱逃问题，材料或 11/10 13:26
9F：→ uodam64402 : 许还比制程还要更关键。 11/10 13:26
10F：推 win8719 : 我是不信会技转更不要说认证就要一年还有试产跟EUV 11/10 13:26
11F：→ win8719 : 机台问题 11/10 13:26
12F：推 a316xxx : 看不懂但给推 11/10 13:26
13F：→ win8719 : 要做这个要先搞定技转 设备 跟一年以上才可能出货 11/10 13:27
14F：→ win8719 : 问题 11/10 13:27
15F：推 julian42 : dram 大家都会做有什麽好不技转的 反而台积的技术大 11/10 13:34
16F：→ julian42 : 家都须要 11/10 13:34
17F：→ julian42 : 台积是要考虑抢客户生意好不好 11/10 13:36
18F：推 opticalman : 现在各家公司先搞一条研发线，DRAM 如何3D化，目前 11/10 13:51
19F：→ opticalman : 都是机密 11/10 13:51
20F：推 xshaddockx : 去查华邦电跟台积电3D Dram，台积电不可能去做DRAM 11/10 13:53
21F：→ xshaddockx : Die，内部人说去年台积就把成熟制成的机台都卖给世 11/10 13:53
22F：→ xshaddockx : 界了，不可能走回头路了 11/10 13:53
23F：→ ezorttc : 内建黄老二 11/10 14:05
24F：推 kevin850717 : 我以为这个已经被辟谣了欸? 11/10 14:08
25F：推 tomaschang : 2025 VLSI 11/10 14:40
26F：推 maplefff : 你完全搞混3D DRAM和3D封装, 2.5D封装的关系 11/10 14:55
27F：→ maplefff : 3D DRAM是晶圆前端制程, 意思是把DRAM晶粒上的电容 11/10 14:55
28F：→ maplefff : 布置方式从垂直放置改为水平放置并且堆叠 11/10 14:55
29F：→ maplefff : 3D封装, 2.5D封装是後段制程, 意思是把做好的晶粒 11/10 14:55
30F：→ maplefff : 垂直放置或透过中介层水平放置 11/10 14:55
31F：→ maplefff : 3D DRAM和逻辑晶片之间的封装可以是普通的DIMM连接 11/10 14:55
32F：→ maplefff : 3D封装（SoIC), 2.5D封装（CoWoS) 11/10 14:55
33F：→ maplefff : 并没有强制的要求 11/10 14:55
34F：推 maplefff : 你说的3D Vcache本质上是3D封装 11/10 14:59
35F：→ maplefff : 所以讨论的根本就不是一回事 11/10 14:59
36F：推 a77942002 : 邦邦吧 做车用应该有点抗高温 11/10 16:37