根据X上的小道消息指采用LDP技术的EUV最近在华为东莞工厂预计2025 Q3进行测试，并预期 2026进行量产计画： https://reurl.cc/96gRyv 有趣的是这则贴文被现任台积电&IBM Research转发 https://reurl.cc/EgO1ag https://reurl.cc/qnM033 不相信这个蓝勾勾是真人？，第二则贴文同时被网路企业家jude gomila分享，「如果为真 我们来矽谷聊聊天吧」： https://reurl.cc/04YZlo 还是不知道Jude Gomila是谁？他有被Sam Altman追踪 目前这台EUV采用的是LDP技术，与ASML的LPP技术不一样，LPP制造成本&技术门槛更高，LDP 因为工程创新技术门槛没有那麽高，所以能够绕开欧美封锁 寻问Grok 3 Q1.LDP跟LPP差别在哪？ LDP（Laser-induced Discharge Plasma，雷射诱导放电等离子体）和LPP（Laser-Produced Plasma，雷射产生等离子体）是两种用於生成EUV（极紫外光，波长13.5奈米）的光源技术 ，主要应用於先进半导体光刻机（如ASML的EUV设备或中国自主研发的系统）。它们的核心 差异在於等离子体的产生方式、设备设计和技术特性。以下是详细对比： 1. 工作原理： LPP（雷射产生等离子体） 机制：LPP使用高功率雷射（如二氧化碳雷射，功率通常达数十千瓦）直接轰击熔融锡滴（S n）。雷射能量将锡滴汽化并激发成高温等离子体，该等离子体在冷却过程中释放13.5奈米 的EUV光。 过程：雷射脉冲击中锡滴，瞬间产生高密度等离子体，然後通过多层反射镜（MLM）收集和 聚焦EUV光。 代表应用：ASML的EUV光刻机（如NXE:3400系列）采用LPP技术，搭配Cymer的雷射系统。 LDP（雷射诱导放电等离子体） 机制：LDP先用低功率雷射（通常为奈秒级脉冲雷射）将锡或其他材料汽化，形成一团低密 度云状物质。随後，在两极间施加高电压（放电），使这团云转化为等离子体并释放EUV光 。 过程：雷射仅负责初始汽化，放电才是主要的等离子体激发来源，EUV光同样由反射镜收集 。 代表应用：中国自主研发的EUV光刻机（如哈尔滨工业大学与相关企业合作项目）采用LDP技 术。 https://i.imgur.com/mGiqPeE.jpeg 3. 主要差别： 雷射依赖程度 LPP完全依赖高功率雷射，雷射系统的成本和技术难度极高（例如ASML的雷射由Cymer供应， 属於西方技术垄断领域）。 LDP降低对雷射功率的需求，通过放电补充能量，试图绕过高功率雷射的技术瓶颈，这对中 国等受限於技术封锁的国家具有战略意义。 能量效率与成本 LPP的能量转换效率因雷射直接激发而受限，且高功率雷射的运营成本高昂。 LDP理论上因结合放电机制可提升效率，并减少对昂贵雷射设备的依赖，设备制造和维护成 本可能更低。 光源功率与应用成熟度 LPP已实现250W以上的稳定光源功率，满足7奈米以下制程的量产需求（如台积电、三星使用 ）。 LDP的光源功率目前偏低（试验阶段约50-100W），距离量产要求（至少250W）还有差距，稳 定性也需进一步验证。 技术发展阶段 LPP是当前业界标准，经过20余年的优化，已广泛应用於商业生产。 LDP属於新兴技术，仍在实验与试产阶段，中国的研发目标是突破封锁并实现自主可控。 4. 实际影响与应用： LPP的优势 LPP技术成熟，ASML的EUV光刻机已成为全球半导体产业的支柱，支持3奈米甚至2奈米制程。 但其核心组件（如雷射与光学系统）被西方垄断，中国难以获取。 LDP的潜力 LDP是中国在EUV领域的替代路径，旨在降低对进口技术的依赖。若成功量产，可支持5奈米 或3奈米制程，并为中国半导体产业提供自主光刻解决方案。但目前其光源功率和稳定性不 足，短期内难以匹敌LPP的商业应用。 总结 LPP：高功率雷射驱动，技术成熟、光源稳定，适合当前先进制程，但成本高且技术门槛高 。 LDP：雷射＋放电结合，成本较低、自主性强，但功率和稳定性尚待突破，属於发展中技术 。 Q2.假设LDP技术2025 Q3试产成功，2026顺利量产，那麽是否意味着中国可能在EUV突破欧美 封锁？ 是的，若LDP（雷射诱导放电等离子体）技术在2025年第三季度（Q3）试产成功，并於2026 年顺利量产，这确实意味着中国在EUV（极紫外光）光刻技术上有望突破欧美技术封锁，但 具体能否完全实现自主可控并改变半导体产业格局，还需考虑几个关键条件和限制。以下是 详细分析： 1. 突破封锁的意义： 技术自主性 EUV光刻机是先进制程（如7奈米以下）的核心设备，目前由荷兰ASML垄断，而ASML的EUV系 统依赖美国（Cymer雷射）、德国（蔡司光学）等技术供应链，受《瓦圣纳协定》和美国出 口管制影响，中国无法直接采购。若LDP技术量产成功，中国将拥有自主EUV光刻机，打破对 ASML的依赖。 时间表可能性 2025年Q3试产成功意味着光源功率（预计需达100-150W）、稳定性及初步系统整合已通过验 证。 2026年量产则需光源功率提升至250W（业界标准），并完成光学系统（多层反射镜）、光罩 、感光材料等全产业链的配套。这一进度在中国集中资源和政策推动下（如「中国制造2025 」）是可行的，但属於乐观预测。 战略影响 若实现量产，中国将成为继荷兰之後第二个掌握EUV光刻技术的国家。这不仅能满足国内需 求（如SMIC、华为HiSilicon的晶圆制造），还可能改变全球半导体供应链的竞争格局。 2. 技术层面的突破可能性： 光源功率 LDP目前的试验功率约50-100W，距离量产所需的250W仍有差距。若2025年Q3试产成功，意味 着功率提升和稳定性问题已初步解决；2026年量产则需进一步验证长期运行能力。中国如能 借鉴LPP的经验并加速迭代，这一目标并非不可达成。 产业链配套 EUV光刻机不仅需要光源，还涉及： 光学系统：多层反射镜需奈米级精度，中国已有企业（如长春光机所）在攻关，但与蔡司的 技术差距仍存。 光罩与感光材料：目前依赖日本（如TOPPAN）和美国供应，中国需加速国产化。 系统整合：ASML花费数十年优化EUV系统，中国需在短时间内完成类似工程，这是挑战所在 。 若这些环节在2026年前同步突破，LDP量产才能真正转化为实际产能。 制程能力 假设LDP量产初期达到5奈米制程（类似ASML早期EUV机型），这足以满足中国当前需求（如 华为的麒麟晶片）。随着技术迭代，3奈米甚至2奈米可能在2030年前实现，这将大幅缩小与 台积电、三星的差距。 3. 实际影响与限制： 突破封锁的程度 若LDP EUV光刻机量产，中国确实能在技术层面突破欧美封锁，实现自主生产先进晶片。但 「完全突破」还需考虑： 产能规模：初期产能可能有限，难以满足全国晶圆厂需求。 市场竞争：ASML的EUV机型已成熟至2奈米制程，LDP初期可能仅达5奈米，商业竞争力尚待提 升。 国际反制：美国可能进一步限制上游材料（如光阻剂）或设备零件出口，影响LDP的产业链 完整性。 地缘政治意义 LDP量产将削弱美国对中国半导体产业的遏制能力，尤其在军事、通讯和高性能计算领域。 这可能促使欧美加快技术升级或加大封锁力度，形成新一轮博弈。 4. 结论：可能但有限的突破： 假设LDP技术按计划在2025年Q3试产成功、2026年量产，这确实标志着中国在EUV领域取得重 大突破，能在一定程度上摆脱欧美封锁，实现5奈米甚至更先进制程的自主生产。这将满足 国内部分需求，并为长期技术追赶奠定基础。然而： 短期内（2026-2028年）：LDP可能仅实现有限量产，产能和制程精度难以匹敌ASML，无法完 全替代进口技术。 长期看（2030年後）：若中国完善产业链并提升LDP至3奈米或2奈米，才算真正打破封锁， 成为全球半导体强国。 再回去A看看1/18股版贴的那篇中国哈尔滨大学EUV突破的新闻，下面一面倒的喊假消息，结 果没想到这可能是真的，只能说很多事不要先入为主，在市场无风不起浪 最近中国不管在 EUV、晶片 AI： CSIS表示如果在没有出口管制下中国完全有可能在人工智慧领域领先美国 https://reurl.cc/jQbveZ 机器人： https://i.imgur.com/ySIre3W.jpeg 都有突破 你当然可以说他是偷技术、花大钱招聘高技术人才，但我还是认为这种重度技术密集的高科 技不可能全部都靠偷来的，中国一定是有一群顶尖科学家在肝技术 再看看为什麽美国最近疯狂打中国，并且川普一直喊要让制造业重回美国本土就不奇怪了 --

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