作者yiting428 ()
看板Physics
标题[问题] 半导体物理的一些基本问题
时间Tue Aug 27 22:48:13 2019
大家好
在林昀的电子学里面有写到
1.
「复合物半导体(ex. GaAs)自由电子移动速率甚快於矽，故适合於高速电路或微波元件制
作。」
想请问若价电子都同样已跃迁到传导带成为自由电子
为什麽不同晶体的自由电子移动率会不同?
是跟晶体结构有关系吗?
如果可以希望能有详细一点的解说
2.
在费米能阶之费米迪拉克分布机率为0.5
可是费米能阶又是在介於价带与导带的能隙之中
所以电子应该不可能会有Ef这样的能态吧?
那为什麽分布机率会是0.5?
为什麽离散的能阶可以和连续的分布函数图形有关系?
谢谢
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 110.26.105.98 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Physics/M.1566917297.A.F22.html
1F：推 sam122094: 1. 每个晶体的能带不一样，载子在其中的有效质量也不一 08/28 01:29
2F：→ sam122094: 样，而mobility也会不一样，其实在不同方向速率就会不 08/28 01:30
3F：→ sam122094: 一样了 08/28 01:30
4F：→ sam122094: 2. 他是说若单看能量，电子要符合dirac分布，但实际情 08/28 01:31
5F：→ sam122094: 况，要考虑是否有能阶，因此应该後面是说要DOS跟Fermi- 08/28 01:32
6F：→ sam122094: Dirac相乘才是载子实际情况 08/28 01:32
7F：→ sam122094: 而Ef只是说在Fermi-Dirac上分布为0.5的点，所以你只要 08/28 01:34
8F：→ sam122094: 看Fermi-Dirac分布就好了，但实际DOS那边是零，理想上 08/28 01:35
9F：→ sam122094: 的确不会有载子在那里 08/28 01:35
10F：推 sputtering: Si和GaAs能带结构不同Si(非直接能隙)|GaAs(直接能隙) 08/28 15:15
11F：→ sputtering: Si(非直接能隙)激子跃迁伴随声子的吸收与放出(吸放热) 08/28 15:17
12F：→ sputtering: 要读元件物理之前最好先精读有关固态物理中有关半导体 08/28 15:19
13F：→ sputtering: 性质的部分 08/28 15:20
14F：推 sputtering: 费米分布最主要计算不同参杂及温度之下，电子多寡 08/28 15:28
15F：→ sputtering: 反之也是电洞多寡，再非绝对零度在价带的电子会受热从 08/28 15:33
16F：→ sputtering: 价带受热跳到导带，费米分部就是去算导(价)带的载子分 08/28 15:36
17F：→ sputtering: 子分布的变化，在纯及绝对零度的半导体在费米能阶上下 08/28 15:39
18F：→ sputtering: 分布机率各是一半一半，但这是一种理想状态 08/28 15:40
19F：推 sputtering: 修正一下在绝对零度电子填满价带而导是空的 08/28 18:56
20F：→ sputtering: 带 08/28 18:58
谢谢两位大大的说明!
※ 编辑: yiting428 (27.246.173.223 台湾), 08/30/2019 00:33:16
21F：推 sputtering: 补充一下所谓能带是部分连续的(由一堆很密的能阶组成) 09/09 21:47
22F：→ sputtering: 导带和价带都是载子可以存在的部分，不能存在的叫禁带 09/09 22:00
23F：→ sputtering: 另外有效参杂可以在禁带产生能阶可以加速载子的移动 09/09 22:10
24F：→ sputtering: 修正一下是浓度不是速度(很久没看书了) 09/09 22:15