作者smartman123 (有业游民)
看板Physics
标题[问题] 325 laser的穿透深度
时间Sat Jun 21 04:05:34 2014
最近做实验查了一些资料
325nm He-Cd laser在Gallium Nitride(GaN)材料的穿透深度(penetration depth)
是100nm I=80W/cm^2 band-edge < 180nm
这应该表示上层薄膜只要超过180 nm下层膜应该是没有讯号才对吧?
问题一
我之前量蓝光LED都可以量到量子井的讯号，但是他上层的p-GaN膜就超过200 nm了
为什麽还量的到呢??
问题二
我雷射是Kimmon 30mW的，其beam diameter是 < 1.2 mm(1/e^2)
那光强度计算是 I=30mW/(1/4 *0.12^2*pi)=2.655 W/cm^2
与reference 80W/cm^2也差太多了吧!!
但如果逆推reference 80W/cm^2 * (1/4 *0.12^2*pi)=904 mW
这又太高了，He-Cd laser没有超过 100mW的型号
所以应该是我面积算错了??
请各位大大帮帮忙~感谢!!
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1F：推 oolontea:有可能是p-GaN的电子跑过去的，看漂移距离多长 06/21 05:13
2F：→ smartman123:这不可能，因为量子井发蓝光，p-GaN波段在365 nm 06/21 09:48
3F：→ yeahbo:325nm激发p-GaN产生365nm，然後365nm可以激发QW ￣▽￣ 06/21 11:16
4F：→ yeahbo:另外，二楼的理由和一楼提的 根本风马牛不相及 XD 06/21 11:18
5F：→ yeahbo:一楼提的也是有可能发生 06/21 11:19
6F：推 Narcissuss:穿透深度是说强度decay到原本的1/e 也还有30%会穿过 06/21 14:14
7F：→ Narcissuss:3F讲的也有可能 但是PL的光超级弱 都要用PMT来收了 06/21 14:16
8F：→ yeahbo:直接能隙的GaN的PL萤光超强的啦，除非根本没结晶 XD 06/21 17:48
9F：推 oolontea:题外话。p-level够大的话，p-GaN会发出440左右的波段 06/30 01:51