作者wrt (一片小蛋糕)
看板Physics
标题[问题] MOSFET的一些问题
时间Sun Nov 14 17:37:53 2010
1. body effect
为何在body端加一个负电压 会使Vt上升
如果在body加负电压 电子应该会被排斥到oxide接触面
使得Vt需要吸引得电子变少才对啊
(因为body的负电已经排上去很多电子了)
所以Vt应该要下降才是啊
为何是上升呢?
2.short channel effect 和 channel length modulation
这两个是在说一样的东西吗??
前者是在说VD电压上升 使Vt变小
後者在说在饱和时 VD电压上升 电流还是会些微变大
这两个我怎麽看都是在说一样的东西啊
只是一个是非饱和一个是饱和状态下
电流变大不就是等於Vt下降吗?
观念有点不清楚 请高人解答 感谢
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