※ 引述《huges0111 (okok)》之铭言： : ※ 引述《rooket (rooket)》之铭言： : : 金属材料的Fermi level可由光电效应得实验定出 : : 在Ef的地方 电子的分布会有个 cut-off : : 但是对於半导体而言 : : 在Fermi level的位置（？） 并没有density of state的存在 : : 电子的机率都几乎为零 所以看不到cut-off 的分布 : : 我的问题是 Fermi level的定义若是：在基态时 电子填到最高的位置 : : 那半导体的Fermi level为何会定在 gap 中呢？ : : 为何不是定在 能量低於 gap的能带上呢？？ : : 如果 Ef 落於 gap 中 那要如何准确的定出Ef呢？ : 你所说的Fermi level定义是指温度在0 K的时候 : 在不是0 K时，Fermi level是指在此位置找到电子的机率是0.5 : 虽然在gap中不会有电子存在 : 不过因为半导体不会是纯的，有intrinsic carrier concentration : 所以即使在没有doping的情形下，conduction band也会有电子存在(虽然很少) : 这样一来, fermi level就会移到gap中 : 要找fermi level,照定义即可 : n=1/[1-exp((E-f)/kT)] 想请问一下... 因为还是有些不太了解: (1)在0K时，就intrinsic Si而言， 电子最高不是填到"价带"的顶端吗? 在大於0K後，会有部份电子跑到传导带。 (2)如果说EF是指0K时，电子可填入的最高能阶， 那不就有部份电子的能量，是坐落於Eg里面(i.e. VB<电子能量<EF)?? 希望强者能帮小弟解惑，感恩!!! -- --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 218.167.202.121