作者ckyLu (So what.)
看板Physics
标题Re: [问题] 奈米科技展之主题~谢谢
时间Sun Sep 13 21:40:21 2009
※ 引述《Geigemachen ()》之铭言：
: : 5.邱雅萍助理教授 (国立中山大学/物理系)
: : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100)
: : by STM
: : ↑↑↑↑↑↑↑↑
: : 翻为：用STM直接研究Gd2O3(氧化钆)附在GaAs(砷化镓?)上之介面结构
: : 问题：
: : 1.STM是指扫描穿遂电子显微镜(scanning tunneling microscope)
: 是的
: : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置?
: 方向。
: (100)是对应GaAs晶格三个座标轴的第一个座标轴上，
: 扫描穿隧电子显微镜的电子往第一个座标轴上打过去
这部份有点小误会，一般材料的结构表示上，(100)指的是晶面，方向会用<hkl>
意思是Gd2O3是磊晶成长在GaAs的(100)晶面上的
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.114.230.112