作者ksmax (慢慢接近)
看板Physics
标题[请益] 关於自旋耦合Rashba Hamiltonian
时间Wed Nov 19 00:47:03 2008
我想请问一下在什麽情况下会有rashba so产生
是在半导体的元件中吗?
还有在rashba中"阿法"的值应该是对应不同的材质有不一样的值
可以列举几个给我吗?
谢谢
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 122.125.136.164
1F：→ bloch:不可以 11/19 10:19
2F：推 waldi:InGaAs 0.7E-11 (ev-m) . Nitta PRL 78 1335 (1996) 11/19 20:13
3F：→ waldi:heterstructure , Structure Inversion Asymmetry 才有 11/19 20:17
4F：→ ksmax:谢谢你!不过可以heterstructure的中文是? 11/20 10:34
5F：推 waldi:好像是异质结构？就是两种材料夹起来变成2DEG 11/20 11:23
6F：→ ksmax:谢谢你!! 11/20 23:28